巨大磁気抵抗材料におけるカイラル軌道電流の制御

Nature volume 611、pages 467–472 (2022)この記事を引用

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巨大磁気抵抗 (CMR) は、磁場の存在下での電気伝導率の異常な向上です。 これは従来、スピン散乱と電気抵抗を大幅に低減する場誘起スピン偏極と関連付けられていました。 フェリ磁性 Mn3Si2Te6 は、この規則の興味深い例外です。磁気分極が回避された場合にのみ、ab 面抵抗率が 7 桁減少します 1,2。 今回我々は、MnTe6 八面体の端に沿って流れるab面キラル軌道電流（COC）によって駆動されるエキゾチックな量子状態を報告する。 外部磁場が磁気硬質 c 軸に沿って整列すると、ab 面 COC の c 軸軌道モーメントがフェリ磁性 Mn スピンと結合し、ab 面導電率 (CMR) が大幅に増加します。 その結果、COC駆動CMRは臨界閾値を超える小さな直流電流の影響を非常に受けやすく、COC状態の特徴である一次「溶融転移」を模倣した時間依存の双安定スイッチングを引き起こす可能性があります。 COC 対応 CMR の電流制御の実証は、量子技術の新しいパラダイムを提供します。

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